三星开发业界最高性能的 UFS 4.0 存储解决方案

　　三星半导体宣布推出其通用闪存 (UFS) 4.0 存储解决方案。标榜提供业界最高的访问性能，每通道23.2Gbps的传输速度，将是目前主流UFS 3.1的两倍以上。

除了进一步提升智能手机的数据访问效率、提升终端设备的计算性能外，三星还声称能够通过UFS 4.0存储组件驱动自动驾驶、增强现实和虚拟现实的计算性能。

　　在三星UFS 4.0存储元件的设计中，采用了其第7代V-NAND垂直存储器，配合专利控制器，对应每秒4200MB的连续读取速度和每秒2800MB的连续写入速度，降低了功耗和与 UFS 3.1 规范相比，减少了 46%。这意味着智能手机的待机时间将大大增加。

　　目前，三星提出的UFS 4.0存储元件将构建最大体积为11mm x 13mm x 1mm。存储容量最高可达1TB，预计今年第三季度进入量产。如果不出意外，它将在年底或明年推出的高端手机产品中得到广泛应用。