三星3nm GAA工艺良率低于4nm

　　自7nm工艺节点以来，三星一直在工艺开发和生产上苦苦挣扎。近两年，5nm和4nm工艺生产的芯片在性能和良率上都出现了重大问题。虽然三星高调制定了2021年半导体扩产计划，确认3nm工艺节点将引入新的GAAFET全环绕栅晶体管，并计划在2022年上半年量产第一代3nm工艺，但似乎遇到了更大的困难。

　　据 DigiTimes 报道，一份详述三星 3nm GAA 工艺和 GAA 技术的报告显示，3nm 工艺也有难度，良率徘徊在 10% 到 20% 之间，远低于预期。目前，三星一直在为 4nm 工艺的生产而苦苦挣扎。虽然骁龙 8 Gen 1 的订单已经收到，但良品率只有 35% 左右。这也解释了为什么高通打算在价格上涨的情况下将骁龙 8 Gen 1 Plus 的订单转移给台积电。如果三星在 3nm 工艺上的生产是真实的，将很难拿到订单，很可能会失去高通、英伟达等大客户。

　　消息人士称，三星将首先在自家芯片生产中使用3nm工艺，这很可能是Exynos系列的新品。三星移动业务总裁 TM Roh 在一次内部会议上表示，将为 Galaxy 系列设备开发定制 SoC，但目前尚不清楚这是否相关。

　　台积电计划在 N3 工艺节点仍使用 FinFET 晶体管，直到 N2 工艺节点才引入 GAA 技术，预计 2025 年底进入量产。目前没有消息称台积电将转向GAA 技术。总体而言，台积电在芯片生产质量上优于三星。